【摘 要】
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碳化硅抛光加工中极易出现表面/亚表面损伤,使其应用受限。基于研抛加工中脆性材料去除机理,建立亚表面损伤深度（SSD）的理论模型。利用有限元仿真模拟了单颗粒抛光加工的过程,
【基金项目】
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吉林省科技厅重点项目(20140622008JC;20160520072JH;20160101340JC);国家科技部国际合作项目:信息使能的复杂光机功能部件制造关键技术研究(2016YFE0105100)
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碳化硅抛光加工中极易出现表面/亚表面损伤,使其应用受限。基于研抛加工中脆性材料去除机理,建立亚表面损伤深度（SSD）的理论模型。利用有限元仿真模拟了单颗粒抛光加工的过程,分析了不同研抛参数（抛光速度、抛光深度和磨粒顶角）对SSD的影响。结果表明,当加工深度大于脆性材料临界切削深度时,材料去除主要是脆性模式;SSD随着磨粒顶角以及抛光深度的增大而增大,随着抛光速度的增加而减小,但是抛光速度过高会不利于亚表面损伤的控制。由于抛光过程中运动学特性,抛光速度对SSD的影响大于抛光深度和磨粒顶角。
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