【摘 要】
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本文对高亮度GaAlAs LED芯片和外延片的研制原理和工艺进行了研究。实验是在全自动液相外延炉上进行,选用1～1.7℃/min的降温速率,生长了25～30μm的P-Ga_(0.65)Al_(0.35)As和12～1
【机 构】
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本文对高亮度GaAlAs LED芯片和外延片的研制原理和工艺进行了研究。实验是在全自动液相外延炉上进行,选用1～1.7℃/min的降温速率,生长了25～30μm的P-Ga_(0.65)Al_(0.35)As和12～15μm的N-Ga_(0.35)Al_(0.65)As外延层;采用微合金工艺制作欧姆接触电极。结果获得GaAlAs LED芯片的性能达到I_v=5.8mcd、V_F=1.74V(I_F=20mA),λ_p=665nm。
In this paper, high brightness GaAlAs LED chips and epitaxial wafers research principles and processes were studied. The experiments were carried out on a fully automated liquid phase epitaxy furnace. P-Ga 0.65 Al 0.35 As as 25-30 μm and N-Ga 0.35 0.35 12- 15 μm were grown at a cooling rate of 1 ~ 1.7 ℃ / min. ) Al_ (0.65) As epitaxial layer; ohmic contact electrode is made by micro-alloy process. The results obtained GaAlAs LED chip performance I_v = 5.8mcd, V_F = 1.74V (I_F = 20mA), λ_p = 665nm.
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