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基于密度泛涵理论的全势线性缀加平面波(FP-LAPW)方法计算光催化材料InVO4的电子结构和光学常数.电子结构计算表明:InVO4价带顶由O-2 p、V-3 d和In-3 d轨道电子杂化构成,导带底则是V-3 d和In-5 s空轨道组成的杂化带.光学常数计算表明:光吸收强度曲线在4.2 eV处的突出峰源于价带顶的O-2 p电子向导带底V-dz2和V-dxy轨道的跃迁,4.6-7.9 eV范围内的吸收峰则对应于价带顶的O-2 p电子向导带底杂化带的跃迁;而高能区的光吸收是材料深能级电子跃迁的贡献.折射系数