【摘 要】
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针对抗电磁干扰的需要提出了一种由SiCGe/3C-SiC异质结构成的光控达林顿晶体管设计.用多维器件模拟软件ISE对这种新型功率开关进行了特性仿真.结果表明,与采用其他结晶类型的
【机 构】
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西安理工大学电子工程系,西安理工大学电子工程系,西安理工大学电子工程系 西安710048,西安710048,西安710048
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针对抗电磁干扰的需要提出了一种由SiCGe/3C-SiC异质结构成的光控达林顿晶体管设计.用多维器件模拟软件ISE对这种新型功率开关进行了特性仿真.结果表明,与采用其他结晶类型的碳化硅衬底相比,SiCGe与3C-SiC间较小的晶格失配有利于提高器件性能,可使其最大共射极电流增益达到890,获得最好的光触发特性和较好的I-V特性,饱和压降大约为4V.
For the purpose of resisting electromagnetic interference, a light-controlled Darlington transistor design made of SiCGe / 3C-SiC heterostructure is proposed. The characteristics of the new power switch are simulated by multi-dimensional device simulation software ISE. The results show that The smaller lattice mismatch between SiCGe and 3C-SiC improves the device performance compared to other crystalline silicon carbide substrates, resulting in a maximum common emitter current gain of 890 for the best photo-triggered properties And better IV characteristics, the saturation voltage drop is about 4V.
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