饱和压降相关论文
大功率电源越来越多应用到国防、工业、交通运输等各个方面,已成为众多领域中最核心和关键的重要技术。IGBT模块作为大功率电源中......
电动汽车驱动系统逆变器是电动汽车控制系统的重要组成部分,IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT）模块则是电驱逆变器的核......
电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技......
电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技......
发射极载流子增强技术作为绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件所特有的技术手段,是进一步改善IGBT导通饱和压降和关断损耗折中性能的关......
1问:IGBT的基本概念是什么?答:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)也称为绝缘栅双极型晶体管,它本质上是一个场效应晶体管MO......
随着电力电子器件制造工艺的不断改进和变流技术的逐渐完善,绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)作为功率......
IGBT模块是电能传输与变换的核心器件,在智能电网、轨道交通与可再生能源分布式发电等领域有广泛的应用。在高频的开关过程中,受到......
本文介绍了光电耦合器在实现信号传输方面的一些独特优点,并通过实例对光电耦合器件进行了分析和计算;同时,对光电耦合器件的应用......
IGBT(绝缘栅双极型晶体管)在电力系统、交通、军工、航天等诸多领域得到广泛应用,其可靠性关乎整个系统的稳定,而模块的结温是IGBT......
<正>IGBT具有不同的内部结构,不同的特性,因此也对应着不同的应用要求。本文将详细地介绍这些不同的结构,同时,论述这些结构的特性......
针对OTL功率放大器实验普遍存在的效率低下问题,本文从器件、电路、测量方法和计算方法等方面分析了该放大电路效率的理论值。通过......
基于非等温能量传输模型,利用TCAD半导体器件仿真软件对红外光电晶体管外延层电阻率、基区表面浓度和基区宽度参数进行优化设计。......
选择3种典型光电耦合器开展了反应堆中子辐照实验,中子注量为3×1011~5×1012cm-2时,位移效应导致电流传输比下降,饱和压......
IGBT模块以高输入阻抗、低导通压降的优点广泛应用于功率变流装置中,是变流装置中最为核心的器件之一,也是最易失效的器件之一,对I......
电力功率器件IGBT的并联应用是提高功率变换器电流处理能力的重要手段,IGBT并联支路均流与否是直接影响其实际工程应用关键性问题......
首先提出了硅脉冲双极型微波功率晶体等在应用中会出现功率增益、饱和压降以及EB结反向击穿电压参数的退化现象，并对此进行了研究探......
针对测量不同工作条件下IGBT模块电气参数时需要获取大量数据、反复改变工作点等问题，以容量为1200V／75A的绝缘栅双极晶体管为例．设计......
LG9110是为控制和驱动电机设计的两通道推挽式功率放大专用集成电路器件．将分立电路集成在单片IC之中．使外围器件成本降低．整机可靠性......
在国内首次研制出了一种采用条状元胞结构、特殊的栅槽刻蚀条件、特殊的栅介质生长前处理工艺及多晶硅栅的射频功率Trench MOSFET......
集电极峰值电流（I_（CM））、集电极-发射极击穿电压（V_（CEO））、最大耗散功率（P_（CM））、直流二次击穿临界电压（V_（SB））是衡量大功率晶体管可靠性优劣的......
应用几个运算放大器,外接少量电阻和电容等元件,就能制作出实用性很好的二次交流电源,包括不间断电源。本文介绍了运算放大器之间......
主要研究1200 V IGBT器件的性能优化方法。理论分析了IGBT结构参数与其主要性能的关系,按1200 V IGBT器件击穿电压和饱和压降的设......
因氮化镓GaN(gallium nitride)材料自身的物理性质优势,该材料更适用于高温且大功率电子器件的制作。但目前GaN材料制作的功率开关......
在能源危机日益严重的今天，风能作为一种清洁可再生能源正受到越来越大的关注，风力发电对于解决当下的能源危机来说至关重要，以绝缘栅......
结温是影响功率变流装置可靠性的关键参数之一，研究功率变流装置中功率器件的结温测量方法是确保功率变流装置安全可靠运行和降低维......
IGBT导通和截止电压相差较大,传统的检测电路无法实现其宽范围、高精确度的测量。首先,本文提出了一种IGBT导通和截止电压集成的测......
IGBT模块广泛应用于功率变流装置中,是变流装置中最为核心的器件之一,也是变流装置中最易失效的器件之一,对IGBT模块进行可靠性评......
绝缘栅双极晶体管(Insulate Gate Bipolar Transistor, IGBT)是一种由场效应晶体管(MOSFET)和双极型功率晶体管(BJT)结合而成的达......
评估IGBT功率循环试验中器件失效的判据有器件饱和压降Vcesat、热阻Tth、门极漏电流Ige等,而在功率循环试验中,为达到恒定结温差的......
以IGBT为代表的功率半导体器件与其它常规半导体器件相比,承载的功率更高,工作过程中发热量巨大。半导体器件只有在一定的温度范围......
为了有效监测IGBT的工作结温,通过机理分析提出了一种基于电压对电流变化率的结温在线监测方法。首先基于半导体物理论述了IGBT饱......
实验室条件下,IGBT模块的结温探测是瞬态热阻抗测试的关键。首先分别在热稳态和热瞬态下证明了饱和压降温度特性只与芯片有关,然后......
大功率晶体管深度饱和以降低功率损耗与管子快速关断之间的矛盾并非不可调和。文中针对通常的抗饱和驱动 ,提出了一种新型驱动电路......
由于大功率IGBT开通和关断集-射电压具有跨度大的特点,现有的大功率IGBT驱动检测电路无法同时实现宽范围、高精度的测量。为此提出......
在传统平面栅IEGT器件基础上,设计了一种复合栅结构IEGT器件,器件兼容了电子注入增强和载流子存储层技术.器件纵向延展的沟槽栅增......
由555时基电路组成的压控振荡器,经实验得出的ux-T曲线中有一个极小值,这和理论计算值有较大差异。分析了产生这种现象的原因是控......
IGBT模块的工作性能、寿命及可靠性与结温密切相关。因此,关于IGBT模块结温探测方法的研究对指导器件安全可靠的使用和进行器件的......
<正> MC2833P是美国MOTOROLA公司为无绳电话和调频通信设备专门设计的调频发射机子系统,包括一个话筒放大器、电压控制晶体振荡器......
集电极峰值电流（ICM）、集电极-发射极击穿电压（VCEO）、最大耗散功率（PCM）、直流二次击穿临界电压（VSB）是衡量大功率晶体管可靠性优劣的重要......
基于现有仿真及工艺平台,设计一款3 300V/50A场截止型绝缘栅双极晶体管器件(FS-IGBT),元胞采用场截止型平面栅结构,元胞注入采用自......
期刊
高压大电流MOS场控晶闸管(MCT)在一些大型专用军事设备中起着难以替代的作用,进一步改善MCT的输出特性对提高我国战略武器和常规武......
<正>在光电器件中,双向光耦合器以其输出端极性可任意变化而倍受注意.目前国内厂家生产的双向光耦合器的输出特性如图1所示.如使器......
