【摘 要】
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美国TRW电子系统小组试制了高电子迁移率晶体管放大器,在61GHz下增益为7.5dB。该放大器使用了GaAs-GaAlAs系耗尽型高电子迁移率晶体管。栅长短到0.25μm,低频跨导是325mS/mm
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美国TRW电子系统小组试制了高电子迁移率晶体管放大器,在61GHz下增益为7.5dB。该放大器使用了GaAs-GaAlAs系耗尽型高电子迁移率晶体管。栅长短到0.25μm,低频跨导是325mS/mm,源-栅间输入阻抗是0.20±0.05Ω·mm。制成混合微波IC放大器,在61GHz下获得7.5dB的增益,这个增益中包含电
The United States TRW electronic system group trial high electron mobility transistor amplifier, gain of 7.5dB at 61GHz. The amplifier uses GaAs-GaAlAs depletion mode high electron mobility transistor. The gate length is as short as 0.25μm, the low-frequency transconductance is 325mS / mm, and the source-gate input impedance is 0.20 ± 0.05Ω · mm. Made of hybrid microwave IC amplifier gain of 7.5dB at 61GHz gain, this gain contains electricity
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王焕清教授男，1965年10月出生，湖南澧县人，中共党员。1990年中国人民大学财政专业研究生毕业。2001年8月获得副教授任职资格，2006年9月晋升教授任职资格。历任湖南财经高等专科学