功率VDMOSFET研制

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【摘要】

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本文简单介绍了BV_(DS)>200V,I_(DS)>2A的功率VDMOSFET的研制与工艺,并给出了测试结果. This article briefly introduces the research and technology of the power VDMOS

【作者】

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朱静远谢世健

【出处】

：

电子器件

【发表日期】

：

1991年02期

【关键词】

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功率等位环击穿电压沟道并联组合双极晶体管开启电压峰值浓度硅栅自对准工艺大规模集成电路

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本文简单介绍了BV_(DS)>200V,I_(DS)>2A的功率VDMOSFET的研制与工艺,并给出了测试结果. This article briefly introduces the research and technology of the power VDMOSFET with BV_ (DS)> 200V and I_ (DS)> 2A, and gives the test results.

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