等位环相关论文
前言 我们试制、生产的GP34、GP35PNP型高反压晶体管,生产工艺是在原GK30、GK50工艺的基础上摸索的。 现将我们生产实践中所采用......
已经有许多作者对低频大功率晶体管和大电流型高频大功率晶体管的设计和制造问题进行过详细的研究,关于“高频高反压功率晶体管”......
提高平面型晶体管击穿电压的方法主要有场极板、电场限制环、耗尽区腐蚀和离子注入等.几年来,我们在如何实现平面结构晶体管的高耐......
本文扼要介绍了场限制环、场板、等位环等终端结构对提高PN结雪崩击穿电压的原理,着重叙述采用这些技术,以三重扩散片为衬底材料来......
提出一种多等位环（multiple equipotential rings,MER）的高压屏蔽新结构MER-LDMOS,并解释了该结构的屏蔽机理,通过2D器件模拟验证了......
随着科技的高速发展,微位移测量技术在科学研究、生物医疗、半导体制造、航空航天和高端装备制造等诸多领域已得到广泛应用,微位移......
本文从阐述场板对提高pn结雪崩击穿电压的原理出发,引出了一种非均匀氧化层场板技术,介绍了这种结构的工艺特点及场板设计最佳化选......
由于感应极板电容存在的边缘效应,测量时会引起电力线的畸变,影响灵敏度、线性度和量程等性能参数。提出一种新型带等位环的印刷电......
研制测量薄膜相对介电常数的仪器,用于生产中在线监测薄膜的厚度。该仪器采用将平行板电容器充满薄膜的电容值与充满空气的电容值......
