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从沟槽绝缘栅双极晶体管(TIGBT)的物理结构出发，提出了TIGBT的稳态模型和瞬态模型．该模型不仅考虑了槽底电子积累层引起的基区电导调制作用增强效应，而且还考虑到缓冲层对器件性能的影响．通过与器件模拟结果的比较，表明该模型能准确地描述TIGBT稳态和瞬态时的物理特性．
TIGBT的稳态和瞬态模型
【摘 要】
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从沟槽绝缘栅双极晶体管(TIGBT)的物理结构出发，提出了TIGBT的稳态模型和瞬态模型．该模型不仅考虑了槽底电子积累层引起的基区电导调制作用增强效应，而且还考虑到缓冲层对器件性
【机 构】
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清华大学微电子学研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2003年7期
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