21世纪以来,电力电子技术已得到了长久的发展,在电力系统、新能源、信息、远洋运输、太空探索等领域有着较为广泛的应用。然而,由......

该文的主要工作是:以碳化硅材料特性参数为基础,建立金属半导体场效应晶体管器件二维数值模型,较为准确地模拟了4H-SiC MESFET的静......

SiC材料具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等优良特性，这些特性决定了它在高温、大功率、高频和抗辐照......

采用Volterra级数法对4H-SiC射频MESFET的大信号非线性特性进行了分析,并研究了器件尺寸与线性度的关系。模型考虑了陷阱效应对非......

利用本实验室生长的半绝缘衬底上的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFET和MMIC的工艺技术研究。在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,......

提出了一种MESFET开关的模型--附加栅控开关模型,适用于MMIC电路的设计,具有很好的宽带微波特性.在0.1～20 GHz频率范围内,器件测试......

详述了单片超高速2Gbps GaAs 4bit数模转换器（DAC）的设计、制造及测试。在南京电子器件研究所标准乃φ76mm GaAs工艺线采用0．5μm全离......

基于器件工作机理,提出了一种新型的4H-SiC MESFET经验大信号电容模型。模型参数提取采用Lev-enberg-Marquardt优化算法,提取的模......

基于TOM直流I-V模型和Angelov非线性电容模型,该文建立了适合SiC MESFET的非线性模型,并利用符号定义器件（SDD）实现了在安捷伦ADS软......

通过设计与悬臂梁呈不同角度的沟道,对GaAs基金属半导体场效应晶体管（MESFET）的微加速度计的输出特性进行了初步测试研究。设计了GaA......

研究了4H—SiC MESFET器件的电学击穿特性和热学稳定性．建立了金属半导体场效应晶体管器件二维数值模型，分析了雪崩碰撞离化效应、隧......

日前，电子组件经销商Digi-Key Corporation与宽禁带晶体管及射频集成电路（RFIC）的领先者Cree．Inc．（Nasdaq股市代号：CREE）共同宣布。Digi-Ke......

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运用双指数函数模型方法分析了影响GaAs MESFET肖特基势垒结特性的各种因素,编制了结参数提取和1-V曲线拟合软件,实现了通过栅源正......

砷化镓（GaAs）晶体是一种电学性能优越的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，以其为衬底制作的半导体器件及其集成电路由于具有信息处理速度快、......

本文提出了一种MESFET开关的模型--附加栅控开关模型,适用于MMIC电路的设计,其具有很好的宽带微波特性.开关单片的设计值与模型模......

碳化硅(SiC)是一种极具潜力的新型半导体材料，具有带隙宽、载流子饱和漂移速率大、击穿电场和热导率高等许多优点，非常适合于制作高......

碳化硅（SiC）是近十几年来迅速发展起来的宽禁带半导体材料之一。与广泛应用于微波领域的半导体材料GaAs相比，SiC材料具有宽禁带、高击......

碳化硅（SiC）是具有宽禁带、高击穿电场、高载流子饱和漂移速率、高热导率、高功率密度等等许多优点的新型半导体材料，非常适合于制作......

碳化硅（SiC）由于具有禁带宽度大、临界位移能高、热导率高等优点而成为制作高温、高频、大功率和抗辐射器件极具潜力的宽带隙半导体......

论述多栅开关的结构和特点.开关设计中需要考虑的一个重要因素是提高开关功率处理能力的同时减小插损,多栅开关由于其特殊的结构,......

论述了多栅开关的结构和特点，针对多栅开关器件结构设计中的参数栅栅间距的选取作了分析，确定当栅栅间距等于源漏间距对栅数的平均值......

基于自主研发的碳化硅(SiC)材料外延技术,优化了材料各层结构及参数,减小了Al记忆效应,最终得到了高质量SiC外延片。采用自主研发......

作者介绍了SiC MESFET(metal-semiconductor field-effect transistor,金属半导体场效应晶体管)器件的优点和离子注入技术在SiC器......

碳化硅（SiC）材料具有热导率高、电子的饱和速度大、击穿电压高等优点，是制备高温、大功率、高频等半导体器件的理想材料。由于杂质在S......

砷化镓微波功率场效应晶体管（GaAs MESFET）是一种在电子行业中广泛应用的化合物半导体器件,它对微波功率器件和集成电路的发展具有很......

GaAs晶体是一种电学性能优越的Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体材料，以其为衬底制作的半导体器件及集成电路由于具有信息处理速度快、超高频、......