【摘 要】
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日本电气学会杂志1989年第3期报导,日立制做所采用热分子束法开发了极低损伤、高选择性微细加工干法腐蚀技术。目前半导体器件制做中通常采用等离子腐蚀法。但等离子刻蚀中
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日本电气学会杂志1989年第3期报导,日立制做所采用热分子束法开发了极低损伤、高选择性微细加工干法腐蚀技术。目前半导体器件制做中通常采用等离子腐蚀法。但等离子刻蚀中的高能(20~1000eV)粒子和电荷粒子不可避免地会引起表面损伤,随着集成度不断
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