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通过测试不同旁栅电压条件下的ＭＥＳＦＥＴ沟道电流的低频振荡现象，发现旁栅偏压无论朝正向还是负向变化都存在一个阈值可消除此低频振荡，并从理论上探讨了出现这种现象的原因，初步认为这与沟道－衬底（Ｃ－Ｓ）结构的特性和高场下衬底深能级ＥＬ２的碰撞电离有关。
旁栅电压下MESFET沟道电流的低频振荡
【摘 要】
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通过测试不同旁栅电压条件下的ＭＥＳＦＥＴ沟道电流的低频振荡现象，发现旁栅偏压无论朝正向还是负向变化都存在一个阈值可消除此低频振荡，并从理论上探讨了出现这种现象的原因，初步认为这与
【机 构】
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合肥工业大学应用物理系
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2000年12期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目!( 696760 0 3)&&
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