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为了拓宽 ZnO 光电材料的应用前景，研究了 ZnO 薄膜的晶体电子结构、掺杂以及光学性质．采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法，计算了 ZnO 和 Zn0．9 Co0．1 O 的能带结构、电子结构和光学性质．计算结果表明：纤锌矿 ZnO 为直接带隙半导体，掺杂10％ Co 后 ZnO 能级发生劈裂，态密度向稳定的低能级移动，禁带宽度变窄，吸收谱红移，呈现铁磁性．