【摘 要】
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随着半导体工艺技术的发展,节点电容和电源电压的减小加剧了软错误对集成电路设计的影响.高能带电粒子入射SRAM单元敏感节点引起的软错误可能通过改变基于SRAM的FPGA的存储单
【机 构】
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复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室
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随着半导体工艺技术的发展,节点电容和电源电压的减小加剧了软错误对集成电路设计的影响.高能带电粒子入射SRAM单元敏感节点引起的软错误可能通过改变基于SRAM的FPGA的存储单元配置而改变芯片功能.在此类型FPGA芯片内,SRAM单元存放着FPGA的配置数据,因此增强SRAM的抗软错误性能是提升FPGA芯片可靠性的最有效方式之一.提出了一种具有良好抗软错误性能的SRAM单元结构8T-SRAM,并采用工业级65 nm CMOS工艺库对6T-SRAM,ASRAM0以及8T-SRAM单元的读/写速度、漏电功耗以及
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