软错误相关论文
随着芯片制造工艺的进步,元器件的集成度不断提高,使得计算机芯片的性能得到了极大的提升。但同时,高度的集成化使得计算机芯片对......
CPU的可靠性对计算机系统至关重要。针对神经网络等方法在可靠性分析与评估中参数优化困难、模型评估精度不够准确等问题，提出一种......
软错误会导致隐性偏差，严重影响计算机系统的可靠性。计算程序脆弱性指数是防护隐性偏差的先决条件。针对传统方法中程序语义提取不......
本文提出了一种基于任务级冗余的I/O接口容错方案。本方法利用操作系统中任务级冗余技术，在不干扰微控制器其他模块的情况下保护I/O......
卷积神经网络（Convolutional Neural Networks,CNNs）凭借其较高的准确性在图像识别、自动驾驶等领域很受欢迎。随着大规模图像数据的......
单粒子翻转会使锁存器、触发器等电路中的逻辑值发生瞬态变化,影响芯片的可靠性。而且随着摩尔定律的发展,单粒子翻转正变得越发严......
对卷积神经网络容错性的研究,是为了构建新型的更高可靠网络模型。真正的容错性,是指在系统架构层发生异常时,神经网络仍然能保持......
随着我国航天事业的飞速发展，空间辐射环境对集成电路的辐照效应分析及加固手段日益成为学术界和工业界关注的问题。过去几十年，单粒......
硬件集成电路瞬时故障(又被称为软错误)是由空间高能粒子所导致的,它对航天器的寿命和可靠性影响极为严重。为了提高航天应用系统......
随着集成电路的特征尺寸进入纳米量级,持续降低的工作电压、急剧升高的工作频率以及明显提高的集成密度等原因,导致软错误率快速攀......
在现代的多处理器芯片中,由恶意攻击和系统错误引发的软错误现象越来越常见,尤其对云存储服务器中的大型、多层缓存系统而言更是如......
容错设计技术是提高计算系统可信性的重要措施。高能粒子辐射引起的软错误曾被认为是影响宇航电子用品可靠性的首要因素。随着集成......
随着供配电自动化系统越来越复杂、智能化越来越高,供配电自动化系统的可靠运行对整个电网的安全运行至关重要。供配电自动化系统......
GPGPUs(general-purpose Graphics Processing Units)因为其高并发性和高吞吐量的优势,已经成为多种科学领域不可或缺的计算单元。......
随着半导体技术的迅猛发展,数字电路对软错误变得越发敏感。近年来,我国在通信和航天等领域迅速崛起,对数字电路的可靠性和开销提......
随着集成电路等半导体制作工艺的迅速发展,微处理器等芯片的尺寸越来越小,性能也随之增高,但是对电磁辐射等外界环境也越来越敏感......
随着集成电路制造工艺的改进,集成电路的特征尺寸越来越小、单位面积上集成的器件越来越多、阈值电压下降,软错误对集成电路的可靠......
随着集成电路的发展,基于传统的总线互连的片上系统(SoC,System on Chips)出现了三大主要问题:地址空间有限引起的可扩展性问题,通......
集成电路技术的飞速发展,使得以数字计算机及微型机为基础的微机保护在电力系统继电保护方面得到了实际应用和广泛发展。然而数字......
继电保护装置用到的存储器类型包括非易失性存储器和随机存取存储器2种.这2种存储器的异常变位(单粒子效应)将导致继电保护装置的......
随着集成电路工艺不断改进,电荷共享效应诱发的单粒子多点翻转已经成为影响芯片可靠性的重要因素.为此提出一种有效容忍单粒子多点......
提出了一种基于位交错结构的亚阈值10管SRAM单元,实现了电路在超低电压下能稳定地工作,并降低了电路功耗.采用内在读辅助技术消除......
本文使用镅-241作为 α 粒子放射源,开展65和90 nm静态随机存取存储器软错误机理研究,结合反向分析、TRIM和CREME-MC蒙特卡罗仿真......
通过提取阈值电压变化,研究了温度、连续读操作和α粒子辐射三种应力因子对38 nmSLC NAND闪存产品的可靠性影响.结果 表明,温度和......
随着工艺尺寸和电源电压的减小、存储器中多位翻转(MBUs)发生的几率越来越大,成为影响存储器可靠性的重要因素。内容可寻址存储器(......
随着集成电路复杂度的提高和处理数据能力的增强,芯片中存储器的比重越来越高,特征尺寸的下降又使存储器组合电路中发生单粒子瞬态......
摘 要 本文针对数字电路制造工艺的改进所带来的电路可靠性降低、软错误率增高这一问题，从数字电路中软错误类型的角度分析，软错误包......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
基于软件实现的软错误容错方法不需要硬件开销,被认为是一种高效的软错误容错方法,而动态的实现这种方法能覆盖更多种类型的程序,......
继性能和功耗问题之后,软错误导致的计算可信性已成为一个日益严峻的课题.由于寄存器访问频繁却未能被良好保护,发生在其中的软错......
新兴的三维静态存储器将代替二维静态存储器被广泛用于高性能微处理器中,但它依然会受到软错误的危害。为了能够快速、自动分析多......
针对单粒子翻转(SEU)的问题,提出了一种容SEU的新型自恢复锁存器。采用1P-2N单元、输入分离的钟控反相器以及C单元,使得锁存器对SE......
本文定义了航空电子设备大气中子单粒子效应(NSEE)硬失效、硬错误与软错误等大气中子辐射可靠性表征参数,提出了一套航空电子设备......
重离子引起的单粒子效应是威胁航天器安全的重要因素之一 ,利用加速器进行地面模拟是研究单粒子效应的重要手段 .概述了单粒子效应......
在太空辐射环境中存在各种宇宙射线和一些高能粒子,其中单粒子翻转（SEU）效应是引起存储器软错误的重要因素,降低了数据传输的可靠性,......
存储器的软错误直接关系到产品的可靠性,为比较3种器件的抗软错误能力,实验测量了3种静态存储器(SRAM)的单粒子翻转错误数,计算了......
微机继电保护装置中大量使用各种芯片及存储器件,器件失效将影响电力系统的稳定运行。结合一起由于单粒子翻转引起的保护装置动作......
一步大数逻辑可译码(One-Step Majority Logic Decodable,OS-MLD)可用来促进存储器恢复单粒子翻转引起的软错误.其中,大数逻辑门(M......
随着半导体生产工艺的不断进步,以单粒子效应为主的软错误已经成为影响集成电路可靠性的主要因素之一。在当前生产工艺下,不但应用......
针对低电压下cache硬错误和软错误概率提高导致cache不能正常工作的问题，提出了一种基于混合纠错码的cache结构。该结构利用脏数据......
故障注入是研究软错误故障传播的传统手段，但随着程序复杂性不断增加，采用故障注入对大量软错误的故障传播进行研究将花费巨大的时间......
为了有效容忍双节点翻转,提出了一种新颖的22nm互补金属氧化物半导体工艺下双节点翻转自恢复的抗辐射加固锁存器.使用3个互锁的单......
继性能和功耗问题之后,软错误导致的计算可信性已成为一个日益严峻的课题。其中,由于寄存器访问频繁却未能被良好保护,发生在其中......
随着集成电路工艺水平的提高,软错误逐渐成为影响电路可靠性的主要因素.针对这种情况,提出了一种低开销的SEU锁存器加固结构.该结......
单粒子效应是影响航天器可靠性和在轨寿命的重要因素。单粒子效应引发的可恢复性错误称为软错误，会导致软件运行出错。本文针对单粒......
随着集成电路特征尺寸进入纳米级，高能粒子造成的软错误已对电路的正常工作构成严重威胁。流水线电路具有工作频率高、时序单元数量......
