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美国Ohio州立大学与Massachusetts技术研究所的科研人员共同开发了一种新的发光二极管(LED)生长工艺,采用这一工艺可以将Ⅲ-Ⅴ族半导体沉积在一种硅基的"虚拟"衬底上.
虚拟衬底使Ⅲ-Ⅳ族发光二极管生长在硅上
【摘 要】
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美国Ohio州立大学与Massachusetts技术研究所的科研人员共同开发了一种新的发光二极管(LED)生长工艺,采用这一工艺可以将Ⅲ-Ⅴ族半导体沉积在一种硅基的"虚拟"衬底上.
【出 处】
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光机电信息
【发表日期】
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2004年4期
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