【摘 要】
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本文采用二阶随动系统数学模型,模拟CdSe SC-SEPs的光电压—时间响应特性,讨论光电压响应的时间常数及光电压与光照密度的关系。在光照密度大于200mW/cm~2的条件下,对经过反
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本文采用二阶随动系统数学模型,模拟CdSe SC-SEPs的光电压—时间响应特性,讨论光电压响应的时间常数及光电压与光照密度的关系。在光照密度大于200mW/cm~2的条件下,对经过反复刻蚀处理的CdSe SC-SEPs,记录到光电压达2.087V和光电流为30mA/cm~2的新结果。
In this paper, the second-order follow-up system mathematical model is used to simulate the photo-voltage-time response characteristics of CdSe SC-SEPs. The relationship between the time constant of photo-voltage response and the photo-voltage and light density is discussed. Under the condition of light density> 200mW / cm ~ 2, the new results of photocurrent up to 2.087V and photocurrent of 30mA / cm ~ 2 were recorded for the repeatedly etched CdSe SC-SEPs.
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