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【摘 要】
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在不同基片温度(RT、300、400、500和600℃)下,采用射频磁控溅射法制备了ZnO薄膜和BZN薄膜。研究表明,所制备的BZN薄膜拥有非晶态结构,ZnO薄膜具有c轴择优取向,在基片温度为5
【机 构】
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西安交通大学教育部重点实验室电子材料研究所和国际电介质中心,
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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2016年03期
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