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GaN材料对可见光是透明的，而Si材料可以吸收可见光。在面阵GaN基紫外焦平面中，GaN探测器与Si读出电路通过铟柱倒焊互连，可见光可穿过GaN材料而被Si材料吸收。研究了可见光对于GaN基紫外焦平面读出电路影响的机制，并提出了通过在电路中覆盖铝层的方法减小可见光的影响，最后用实验证实了此方法对于抑制可见光干扰的影响的有效性。