【摘 要】
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制造出了发光强度为12cd 的超高亮度 InGaN 单量子阱(SQW)结构绿光发光二极管(LED)。这些 InGaN SQW 绿光 LED(12cd)的发光强度大约比常规的 GaP 绿光 LED(0.1cd)高100倍。在
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制造出了发光强度为12cd 的超高亮度 InGaN 单量子阱(SQW)结构绿光发光二极管(LED)。这些 InGaN SQW 绿光 LED(12cd)的发光强度大约比常规的 GaP 绿光 LED(0.1cd)高100倍。在正向电流为20mA 时,这些 SQW绿光 LED 的输出功率、外量子效率、峰值波长和半高全宽值分别为:3mW,6.3%,520nm 和30nm。现已用 MOCVD 法在蓝宝石衬底上生长了这种 p-Al-GaN/InGaN/n-GaN 结构的 InGaN SQW 绿光 LED。
A bright green light-emitting diode (LED) structure of ultra-bright InGaN single quantum well (SQW) structure with a luminescence intensity of 12 cd was fabricated. The luminous intensities of these InGaN SQW green LEDs (12cd) are approximately 100 times higher than those of conventional GaP green LEDs (0.1 cd). The output power, external quantum efficiency, peak wavelength and full width at half maximum of these SQW green LEDs were 3 mW, 6.3%, 520 nm and 30 nm at a forward current of 20 mA. This p-Al-GaN / InGaN / n-GaN InGaN SQW green LED has been grown on a sapphire substrate by the MOCVD method.
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