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用二维模拟软件ISE研究了典型的70nm高K介质MOSFETs的短沟性能.结果表明,由于FIBL效应,随着栅介质介电常数的增大,阈值电区减小,而漏电流和亚阈值摆幅增大,导致器件短沟性能退化.这种退化可以通过改变侧墙材料来抑制.
亚0.1μm高K栅介质MOSFETs的特性
【摘 要】
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用二维模拟软件ISE研究了典型的70nm高K介质MOSFETs的短沟性能.结果表明,由于FIBL效应,随着栅介质介电常数的增大,阈值电区减小,而漏电流和亚阈值摆幅增大,导致器件短沟性能
【机 构】
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北京大学微电子学研究所,
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2004年期
【基金项目】
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国家重点基础研究发展计划(973计划);
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