MOXtronics制造出ZnO光电二极管与P型FET

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ZnO及其合金基器件开发商MOXtronics与密苏里大学、南韩首尔国际大学等联手制造出ZnO紫外光电二极管和P型FET。这个研究小组称,上述成果表明,ZnO可用来制造宽频带的器件,并且表明,砷是形成P型ZnO的一种良好掺杂剂。ZnO器件之所以受到关注,是因为它们适合用于苛刻的环境,如核反? ZnO and its alloy-based device developer MOXtronics teamed up with the University of Missouri and South Korea’s Seoul International University to create ZnO ultraviolet photodiodes and P-type FETs. The team said the results show that ZnO can be used to make broadband devices and that arsenic is a good dopant for P-type ZnO. The reason why ZnO devices are of interest is because they are suitable for harsh environments such as nuclear reactions?
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