【摘 要】
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分别采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术和金属辅助化学蚀刻的方法制备了纳米硅/二氧化硅（nc-Si/SiO2）多层膜和多孔硅纳米线（Si NW）两种含氧的硅基材料.借助透射电子显微镜和
【机 构】
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郑州轻工业学院电气信息工程学院,江苏科技大学数理学院
【基金项目】
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郑州轻工业学院博士科研基金（2014BSJJ041）,南京大学固体微结构物理实验室第二十八批开放课题批准项目（M28030）,河南省基础与前沿技术研究计划（152300410130）
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分别采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术和金属辅助化学蚀刻的方法制备了纳米硅/二氧化硅（nc-Si/SiO2）多层膜和多孔硅纳米线（Si NW）两种含氧的硅基材料.借助透射电子显微镜和扫描电子显微镜对样品的微结构进行表征,在此基础上,利用稳态和时间分辨荧光光谱仪对两种材料的荧光特性进行测量.实验结果表明nc-Si的尺寸越小,多孔Si NW内的孔洞越多,样品的发光越强,但是发光峰不发生移动.在波长为355nm,脉宽为6ns的激光激发下,两种材料都具有微秒（μs）的荧光寿命,对应于载流子从与氧相关的
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