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介绍了氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜在电子学器件和光电转换器件(如隧道二极管、异质结二极管、变容二极管、单电子晶体管、太阳能电池、发光二极管)等方面的研究进展,分析了这些器件的性能与nc-Si:H薄膜结构之间的关系,阐述了新型器件的优点.
Nc-Si：H薄膜器件的研究
【摘 要】
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介绍了氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜在电子学器件和光电转换器件(如隧道二极管、异质结二极管、变容二极管、单电子晶体管、太阳能电池、发光二极管)等方面的研究进展,分析了这些
【机 构】
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北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心,中国科学院上海微系统与,北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心,北京航空航天大学光电技术研究所
【出 处】
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材料导报
【发表日期】
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2004年1期
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