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用脱氧剂非真空环境下Ｓｔｏｃｋｂａｒｇｅｒ方法生长未掺和掺铈、镧、铕的浓度范围在１００～５０００ｐｐｍｗｔ的ＢａＦ２晶体．脱氧剂生长方法具有设备简单，不用抽真空和批量生产透明大单晶的特点．测量了这些晶体在室温下透射、激发，以及Ｘ射线和紫外光激发的发射光谱．由Ｘ射线激发，掺杂１０００ｐｐｍ的Ｃｅ样品具有峰值在３０７ｎｍ和３２１ｎｍ二个发射带，被归为放没有其它邻近铈离子条件下Ｃｅ（３＋）的５ｄ－４ｆ跃迁．对于掺杂５０００ｐｐｍ的Ｃｅ晶体，新的发射带出现在峰值为３４０ｎｍ的３２６～３７５ｎｍ范围．新的发射带仍是