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为获得低能质子辐射时硬质硼硅玻璃的损伤特征，利用蒙特卡罗（MC）计算程序——SRIM模拟了入射质子在硬质硼硅玻璃中产生的电离和非电离能损．模拟结果表明：能量为40～200keV的质子损伤主要发生在表面；电离能损是能量损失的主要形式，峰值能量为80keV；非电离能损随能量降低而增大，导致氧、硅和硼等空位型缺陷的产生；空位分布与声子分布及慢化质子的沉积相同，均满足Bragg峰型分布特性．40～200keV质子的电离和非电离能损均会导致硬质硼硅玻璃微观结构的变化．