内场限环结构 LDMOST 的耐压分析

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文章讨论了内场限环结构LDMOST的参数优化和器件耐压问题,采用直接积分的方法推导出内场限环表面掺杂浓度的精确优化公式.同时,对LDMOST的优化结构开展了耐压分析.与国外同类工作比较,此方法简便直观,计算结果与二维数值模拟结果符合得较好. In this paper, the parameter optimization of LDMOST and the withstand voltage of the device are discussed. The direct integral method is used to derive the exact optimization formula of the doping concentration on the inner limiting ring surface. At the same time, the LDMOST optimized structure to carry out the pressure analysis. Compared with similar foreign work, this method is simple and intuitive, and the calculated results are in good agreement with the two-dimensional numerical simulation results.
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