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讨论了内场限环结构对ＬＤＭＯＳＴ耐压的影响，采用直接积分的方法推导出内场限环表面掺杂浓度的精确优化公式。同时，分析了内场限环ＬＤＭＯＳＴ的优化结构的......
文章讨论了内场限环结构ＬＤＭＯＳＴ的参数优化和器件耐压问题，采用直接积分的方法推导出内场限环表面掺杂浓度的精确优化公式．同时，对ＬＤＭＯＳＴ的优化结构......
研究了在低温时用超高真空升华方法沉积的均匀外延硅膜和结的结构及电特性。对硼和磷掺杂硅源升华的外延层扩展电阻的测定表明,外......
众所周知,在制作器件的工艺过程中,结深的控制对器件成品率的影响较大,如能清晰地显示各种扩散或外延结,甚至是杂质浓度差很大的同......
