4H-SiC同质外延中的缺陷

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【摘要】

：

从实验出发,用LPCVD外延系统在偏向<11-20>方向8°的4H-SiC(0001)Si面衬底上,利用CVD技术进行了4H-SiC同质外延生长.外延后在熔融KOH腐蚀液中进行腐蚀,使用SEM和光学显微

【作者】

：

李哲洋刘六亭董逊张岚许晓军柏松

【机构】

：

南京电子器件研究所

【出处】

：

电子工业专用设备

【发表日期】

：

2005年11期

【关键词】

：

4H-SIC LPCVD 同质外延微管位错 SEM 4H-SiC LPCVD Homoepitaxy Micropipe Dislocation

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从实验出发,用LPCVD外延系统在偏向<11-20>方向8°的4H-SiC(0001)Si面衬底上,利用CVD技术进行了4H-SiC同质外延生长.外延后在熔融KOH腐蚀液中进行腐蚀,使用SEM和光学显微镜表征方法探讨了CVD法4H-SiC同质外延中的位错、微管和孪晶等缺陷形貌,并分析其形成机理.

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