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采用电子束蒸发法在Si（111）基片上制备厚度约为100rim的Ni81Fe19薄膜，研究了基片温度对薄膜微观结构及磁性能的影响。结果表明，随着基片温度的升高，Ni81Fe19薄膜（111）衍射峰逐渐锐化，衍射峰强度显著增强，薄膜晶粒逐渐长大；薄膜的饱和磁化强度（Ms）及面内矫顽力（Hc）随基片温度的升高均逐渐增大；随着基片温度的升高，薄膜在9GHz下的共振场（Hr）呈单调降低的趋势，而铁磁共振线宽（△H）则先减小后增大最后基本保持不变。当基片温度为100℃时，薄膜铁磁共振线宽具有最小值△H=7．44kA