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本文研究了直拉TeO2晶体中的主要晶体缺陷形成机理，讨论分析了TeO2单晶生长的工艺参数对晶体缺陷的影响。结果表明：晶体裂缝主要与温度梯度有关，温度梯度大于20～25℃/cm及出现界面翻转时，易造成晶体的开裂，位错密度增加；晶体中的包裹体主要为气态包裹体，它的形成主要与籽晶的转速和晶体的提拉速度有关，转速15～18r/min，拉速0.55mm/h，固液界面微凹，可以减少晶体中的气态包裹体；晶体台阶由晶体生长过程中温度和生长速度的起伏引起，当台阶间距较宽时，易形成包裹体。