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对射频磁控共溅射技术制备的GaAs半导体纳米颗粒复合薄膜光吸收特性进行了研究.与大块GaAs材料相比,复合薄膜的光学吸收边发生了明显的蓝移,GaAs颗粒尺寸3.2nm的复合薄膜吸收边蓝移达1.16eV.
GaAs纳米颗粒复合薄膜光吸收特性研究
【摘 要】
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对射频磁控共溅射技术制备的GaAs半导体纳米颗粒复合薄膜光吸收特性进行了研究.与大块GaAs材料相比,复合薄膜的光学吸收边发生了明显的蓝移,GaAs颗粒尺寸3.2nm的复合薄膜吸收
【机 构】
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淮阴师范学院物理系
【出 处】
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淮阴师范学院学报(自然科学版)
【发表日期】
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2005年1期
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