【摘 要】
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采用辉光放电质谱法测定单晶硅中替位碳含量,通过优化仪器工作条件,得到最佳放电参数。利用低温傅里叶变换红外光谱法对呈梯度的四个单晶硅片中替位碳含量进行赋值,将辉光放电质谱法测得替位碳强度与硅的离子束比与赋值结果作工作曲线,计算得到相对灵敏度因子(RSFcal)为1.19。在优化过的工作条件下,用辉光放电质谱法测未知样,用RSFcal进行计算,得到单晶硅中替位碳的定量分析结果,与二次离子质谱(SIMS)法测定结果进行对照,相对误差为3.7%,一致性较好。
【机 构】
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国标(北京)检验认证有限公司,陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司,国合通用测试评价认证有限公司
【基金项目】
:
国家新材料测试评价平台—有色金属材料行业中心项目(TC190H3ZW/2)。
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采用辉光放电质谱法测定单晶硅中替位碳含量,通过优化仪器工作条件,得到最佳放电参数。利用低温傅里叶变换红外光谱法对呈梯度的四个单晶硅片中替位碳含量进行赋值,将辉光放电质谱法测得替位碳强度与硅的离子束比与赋值结果作工作曲线,计算得到相对灵敏度因子(RSFcal)为1.19。在优化过的工作条件下,用辉光放电质谱法测未知样,用RSFcal进行计算,得到单晶硅中替位碳的定量分析结果,与二次离子质谱(SIMS)法测定结果进行对照,相对误差为3.7%,一致性较好。
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