【摘 要】
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GeneSiCSemicondutor公司开发出了耐压高达10kV左右的SiC双极晶体管(BJT),并在功率半导体国际会议“ISPSD201”(2013年5月26～30日在日本石川县金泽市举行,由日本电气学会主办)
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GeneSiCSemicondutor公司开发出了耐压高达10kV左右的SiC双极晶体管(BJT),并在功率半导体国际会议“ISPSD201”(2013年5月26～30日在日本石川县金泽市举行,由日本电气学会主办)上发表了演讲。该公司制作出了芯片
GeneSiC Semicondutor has developed a SiC bipolar transistor (BJT) with a withstand voltage of up to about 10 kV and presented it at the International Symposium on Power Semiconductors “ISPSD201” (held at Kanazawa, Ishikawa, Japan, May 26-30, 2013, Electrical Society sponsored) delivered a speech. The company made the chip
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