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Dislocation of Cz-sapphire substrate for GaN growth by chemical etching method
【机 构】
：
SchoolofInformationEngineering,SchoolofMaterials
【出 处】
：
Transactions of Nonferrous Metals Society of China
【发表日期】
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2006年B01期
【基金项目】
：
Project（59772037） supported by the National Natural Science Foundation of China, project（500016） supported by the HebeiNatural Science Foundation, Project（20050080007） supported by the Specialized Res
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