基于智能剥离技术的SOI材料制备

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【摘要】

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优化了硅片低温直接键合与智能剥离技术的工艺流程,在550℃,2.1×10-2 Pa条件下制备了SOI材料,其顶层单晶Si膜的表面粗糙度为8.5 nm,缺陷密度为90 cm-2,键合强度达到153.7 kg

【作者】

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舒斌张鹤鸣朱国良樊敏宣荣喜

【机构】

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西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071

【出处】

：

物理学报

【发表日期】

：

2007年3期

【关键词】

：

绝缘体上硅智能剥离低温直接键合

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优化了硅片低温直接键合与智能剥离技术的工艺流程,在550℃,2.1×10-2 Pa条件下制备了SOI材料,其顶层单晶Si膜的表面粗糙度为8.5 nm,缺陷密度为90 cm-2,键合强度达到153.7 kg/cm2,形成的SOI结构除了可以形成三维集成电路中有源层间良好的绝缘层,避免了高温过程对有源层器件结构、材料及性能的影响,还能为三维集成电路后续有源层的制造提供高质量的单晶硅材料.

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