【摘 要】
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采用VHF-PECVD技术制备了不同结构的Si薄膜,用喇曼(Raman)散射光谱和光热偏转谱(PDS)分别对材料的结构进行了研究.结果表明:Si薄膜的结构随温度的升高、功率的增大及H稀释的
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
【基金项目】
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国家重点基础研究发展计划(973计划)，教育部科学技术研究项目，国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划)
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采用VHF-PECVD技术制备了不同结构的Si薄膜,用喇曼(Raman)散射光谱和光热偏转谱(PDS)分别对材料的结构进行了研究.结果表明:Si薄膜的结构随温度的升高、功率的增大及H稀释的加大逐渐由非晶转变为微晶,同喇曼谱相比,PDS也可粗略地估计材料的结构变化;即使是同一种材料,恒定光电导谱(CPM)和PDS的测试结果是不同的,PDS能更准确地反映材料的实际信息.综合PDS和喇曼谱的测试结果认为,制备出了高质量的微晶Si(μc-Si)薄膜.
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