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设计了一种改进结构的用于锂离子和锂聚合物电池充电管理芯片的高精度、宽电源电压范围LDO线性稳压电路，电路采用0．8μmN阱BiCMOS高压工艺制作。Hspice仿真结果表明，在温度从-20℃到100℃变化时，其温度系数约为±28ppm／℃；电源电压从4．5V到25V变化时，最坏情况下其线性调整率为0．038mV／V；负载电流从0到满载2mA变化时，其负载调整率仅为1．28mV／mA。