【摘 要】
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采用射频磁控溅射技术制备了Ge-SiO2薄膜,在N2气氛下进行300℃到1000℃的退火处理30分钟,对样品进行XPS分析,研究了在不同退火温度下薄膜样品的成分与化学状态,为进一步探讨
【机 构】
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苏州大学物理系,苏州大学分析测试中心,中国科学院上海冶金所
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采用射频磁控溅射技术制备了Ge-SiO2薄膜,在N2气氛下进行300℃到1000℃的退火处理30分钟,对样品进行XPS分析,研究了在不同退火温度下薄膜样品的成分与化学状态,为进一步探讨薄膜的光致发光机理提供了依据.结合XRD谱图分析结果可发现,退火处理对纳米晶粒的形成与长大起着关键作用.随着退火温度的升高,样品中的Si向高价态转化,Ge则向低价态转化;GeO含量在800℃退火样品中为最大,高于800℃退火样品中急剧减少.
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