【摘 要】
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文章叙述256K×1位MOS动态RAM,该存贮器采用MoSi_2栅工艺制作,并备有冗余单元,以改进成品率。RAM的典型CAS存取时间为34ns,有效功耗170mW(在5V Vcc和260ns周期时间下)。 高
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文章叙述256K×1位MOS动态RAM,该存贮器采用MoSi_2栅工艺制作,并备有冗余单元,以改进成品率。RAM的典型CAS存取时间为34ns,有效功耗170mW(在5V Vcc和260ns周期时间下)。 高速工作是两个有贡献的因素作用的结果。一个因素是在应用MoSi_2栅工艺技术。一般为了欧姆/□的MoSi_2低薄层电阻减少
The article describes a 256K × 1 bit MOS dynamic RAM, the memory using MoSi_2 gate technology production, and with redundant cells to improve yield. RAM has a typical CAS access time of 34ns and an effective power dissipation of 170mW at 5V Vcc and 260ns cycle time. High-speed work is the result of two contributing factors. One factor is the use of MoSi2 gate technology. MoSi 2 low sheet resistance is generally reduced for ohms / □
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