【摘 要】
：
采用MOCVD方法在InP衬底上制备了高质量的四元合金Gao4In0.6As0.85P0.15和InP外延层,用椭圆偏光仪测得Gao4In0.6As0.85P0.15和InP外延层的折射率.由这两种具有不同折射率的半
【机 构】
：
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
论文部分内容阅读
采用MOCVD方法在InP衬底上制备了高质量的四元合金Gao4In0.6As0.85P0.15和InP外延层,用椭圆偏光仪测得Gao4In0.6As0.85P0.15和InP外延层的折射率.由这两种具有不同折射率的半导体材料交替生长构成不同周期的分布布喇格反射镜(DBR).研究了不同周期的DBR结构的反射率与波长及反射率与DBR结构周期数的关系.根据多层膜增反原理,当中心波长为1.55 μm时,反射率随周期数增加迅速增加,周期数为23时,反射率可达99.97%.利用MOCVD技术,通过Ga0.4In0.6
其他文献
观测了粒径分别为15,23,135 nm的立方相Gd2O3:Eu3+的选择激发光谱、发射光谱和激发光谱.受强量子限域效应的影响,纳米Gd2O3:Eu3+的激发光谱的强度表现出对颗粒尺寸的明显依赖
合成了一种含萘酚基的开链冠醚Schiff碱-锌配合物ZnL(其中配体化合物H2L是 N, N′-双(2-羟基-1-萘亚甲基)-3,6 -二氧杂 -1,8 -三甘醇二胺).通过元素分析、红外光谱、差热-热
基于高场下电荷的注入过程及激子的解离和复合过程,建立了单层有机发光器件电致发光(EL)效率的理论模型.计算表明:(1)当金属/有机界面势垒高度大于0.3 eV时,器件的EL效率很低
用射频磁控溅射法,在硅衬底上制备出具有良好的(002)择优取向的多晶ZnO薄膜.研究了室温下薄膜的光致发光特性,观察到显著的单绿光发射(波长为514 nm)峰.在氧气中830℃高温退
针对一般掺杂结构的红光有机电致发光器件效率随外加电压的增加而迅速下降。同时色度逐渐变差的特点，我们引入了在NPB层和Alq3层内同时掺杂DCJTB的具有双发光区的器件结构。制
第2届全国氧化锌及相关材料学术会议定于2005年12月20～23日在江苏省南京市召开。会议由国家“863”光电子材料与器件主题专家组、国家自然科学基金委信息学部、工程与材料学部
以高温固相法合成SrAl2O4:Tb3+,Ce3+发光材料,蓄光后在暗室中观察发出明亮的绿光.利用X射线粉晶衍射仪对其进行了物相测定,扫描电镜对其进行了晶相与显微结构分析,分析结果表
合成了一种新型二(2-苯基-8-羟基喹啉)锌配合物.利用元素分析、红外吸收光谱等方法表征了结构,并对比研究了二(2-苯基-8-羟基喹啉)锌和喹啉锌的荧光性质,前者的激发光谱在465
利用微乳液水热法制备出GdF3:Eu3+纳米晶及纳米棒.用X射线粉末衍射(XRD)和透射电子显微镜 (TEM)等手段对材料的结构、形态及粒径大小等进行了表征.室温下真空紫外(VUV)光谱及
报道一种可用钆配合物[Gd(DBM)3bath]调节电致发光(EL)颜色的有机发光二极管(OLED).该有机发光二极管是在空穴传输层(m-MTDATA)和电子传输层(TPBI)之间插入一薄层Gd(DBM)3bat