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基于场效应型红离子敏传感器（H+－ISFET）参数及电流-电压特性，归结出四种H+－ISFET传感器的四种测量工作模式，从应用角度讨论了它们的适用条件以及实现差动输出测量的简单方法。实验结果表明，由H+－ISFET／REFET对管构成的差动输出电路具有较好的共模抑制能力和H+离子敏感性能。
场效应型氢离子敏传感器测量方法的实验研究
【摘 要】
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基于场效应型红离子敏传感器（H+－ISFET）参数及电流-电压特性，归结出四种H+－ISFET传感器的四种测量工作模式，从应用角度讨论了它们的适用条件以及实现差动输出测量的简单方法。实验结果表明，由H+－ISFET／REFET对管构成的差动输出电路具有较好的共模抑制能力和H+离子敏感性能。
【机 构】
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东南大学微电子中心
【出 处】
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电子测量与仪器学报
【发表日期】
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1995年02期
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