负热膨胀ZrW2O8薄膜的制备和性能

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【摘要】

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用交替射频磁控溅射法在石英基片上沉积并退火制备了zrW20s薄膜，测量了薄膜与基片之间的结合力和薄膜厚度，研究了薄膜的负热膨胀特性．结果表明：用磁控溅射方法制备的薄膜为非晶态

【作者】

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刘红飞程晓农张志萍付廷波

【机构】

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江苏大学材料科学与工程学院

【出处】

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材料研究学报

【发表日期】

：

2008年1期

【关键词】

：

无机非金属材料钨酸锆薄膜磁控溅射负热膨胀 inorganic non-metallic materials ZrW2O8 thin film ma

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用交替射频磁控溅射法在石英基片上沉积并退火制备了zrW20s薄膜，测量了薄膜与基片之间的结合力和薄膜厚度，研究了薄膜的负热膨胀特性．结果表明：用磁控溅射方法制备的薄膜为非晶态，表面平滑、呈颗粒状，在1200℃热处理3min后得到立方相ZrW2O8薄膜，结晶薄膜的颗粒长大，薄膜与基片之间有良好的结合力、立方相ZrW2O8薄膜在15—200℃热膨胀系数为-24．81×10^-6K^-1，200-700℃热膨胀系数为-4．78×10^-6K^-1，平均热膨胀系数为-10．08×10

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