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掺铒硅基材料发光的新途径

来源 :物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：mdtuyen

【摘 要】

：

采用MEVVA源离子注入机将Si，Er先后掺杂到不同厚度的热氧化硅薄膜中，利用卢瑟福背散射(RBS)能谱分析了掺杂层中Er原子的深度分布，Er的掺杂浓度为1021cm-3量级；原子力显微镜(AFM)

【作 者】

：

肖志松 张通和 徐飞 程国安 顾岚岚 

【机 构】

：

北京师范大学低能核物理研究所,南昌大学材料科学与工程系,,复旦大学

【出 处】

：

物理学报

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

离子注入 光致发光 铒 纳米硅 

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采用MEVVA源离子注入机将Si，Er先后掺杂到不同厚度的热氧化硅薄膜中，利用卢瑟福背散射(RBS)能谱分析了掺杂层中Er原子的深度分布，Er的掺杂浓度为1021cm-3量级；原子力显微镜(AFM)形貌观测中发现有纳米晶Si镶嵌在注入层中；X射线光电子能谱(XPS)的结果显示了不同厚度掺杂层中Er,Si,O含量的变化.77K温度下，在退火态样品的近红外光致发光(PL)谱中观察到了Er3+的1.54μm特征发射.Er3+作为孤立离子发光中心，其激活能主要来源于nc-Si/SiO2(c-Si/SiO2)界面处的载流子复合，再将能量转移给Er3+而产生发光.

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