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极薄薄膜的覆盖率有时难以用常规方法定量表征。本文提出了一套以单层薄膜的角分辨X射线光电子能谱（ARXPS）模型测定极薄薄膜的厚度h,以恰好不再能检测到基底信号的光电子出射角（TOA）为最小基底信号起飞角θmin,以最大裸露线宽L=h/tgθmin为直径的圆形裸露区模型估算薄膜覆盖率的新方法。将该方法应用于热蒸镀法在羟基化硅基底上制备的极薄的岛状金膜,当TOA〉17.5°时Au 4f的峰强变化与单层膜的ARXPS模型吻合得很好;当TOA〈7.5°时不再能检出基底信号;测得金膜的厚度为16