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文章从电荷耦合器件的基本工作原理出发，探讨了ＣＣＤ地γ电离辐射效应，着重分析了表面损伤效应及其对ＣＣＤ各结构的影响，提出了ＣＣＤ抗γ总剂量辐射加固的结构设计途径及加固工艺。
电荷耦合器件抗γ总剂量辐射加固
【摘 要】
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文章从电荷耦合器件的基本工作原理出发，探讨了ＣＣＤ地γ电离辐射效应，着重分析了表面损伤效应及其对ＣＣＤ各结构的影响，提出了ＣＣＤ抗γ总剂量辐射加固的结构设计途径及加固工艺。
【机 构】
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重庆光电技术研究所
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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1996年1期
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