【摘 要】
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利用氨气源分子束外延 ( GSMBE)技术 ,在改型 型分子束外延设备上生长高质量 Ga N单晶外延材料 ,并对样品进行了光致发光测量。分析室温和低温光致发光谱 ,系统地研究 Ga N
【机 构】
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利用氨气源分子束外延 ( GSMBE)技术 ,在改型 型分子束外延设备上生长高质量 Ga N单晶外延材料 ,并对样品进行了光致发光测量。分析室温和低温光致发光谱 ,系统地研究 Ga N的发光峰及其起源 ,并对常见的黄色发光带现象及其微结构起因进行探讨。
Ammonia source molecular beam epitaxy (GSMBE) was used to grow high quality GaN single crystal epitaxial materials on the modified molecular beam epitaxy equipment, and the photoluminescence was measured on the samples. The photoluminescence spectra at room temperature and low temperature were analyzed. The luminescence peak of Ga N and its origin were studied systematically. The common yellow luminescent band phenomenon and its microstructure were discussed.
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