镓空位相关论文
利用变温和变激发强度的近红外光致发光，研究了Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ薄膜中０．９６ｅＶ发光带的发光特性，讨论了其来源．根据０．９６ｅＶ发光带的发光强度，峰值位置和半......
利用氨气源分子束外延 ( GSMBE)技术 ,在改型 型分子束外延设备上生长高质量 Ga N单晶外延材料 ,并对样品进行了光致发光测量。分......
Ga面GaN基器件结构中存在巨大的极化场,引起载流子溢流等问题,严重的损害了器件的性能。而N面GaN则可以使极化场反转,从而解决这些......
一、概述半导体中深中心对器件的影响越来越为人们所重视。深中心的存在不仅直接影响器件的参数,如噪声、发光效率等,而且对器件......
通过晶体生长过程对砷化镓的缺陷性质进行了研究,特别着重研究了有关电学性质,发光性质的变化,以及由于偏离化学计量比的晶格常数......
对注S-SI GaAs单晶作光致发光测试,确定了两个缺陷能级.1.239eV峰可能是镓空位(V_(Ga))与S的络合物;1.408eV峰是由注S引起SI-GaAs......
对钯为基底的多层金属膜Ｐｄ／ｚｎ／Ｐｄ与ｐ型ＧａＰ形成的低阻欧姆接触层的表面及界面进行了Ｘ光电子能谱（ｘｐｓ）的分析，由此给出该接触体系表面及界面处的各用分元......
Ga面GaN基器件结构中存在巨大的极化场,引起载流子溢流等问题,严重的损害了器件的性能.而N面GaN则可以使极化场反转,从而解决这些......
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