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以在Ｎ型单晶硅表面１．３μｍ内实现理想平台状Ｐ型载流子分布为例，我们实验研究了多能离子注入形成特殊形状载流子分布的Ｐｅａｒｓｏｎ函数拟合叠加的计算机设计方法。首先，用扩展电阻法（ＳＲＰ）测量高温快速热退火（ＲＴＡ）后的载流子分布，对０．５＝２．４ＭｅＶ能量范围内单能硼离子注入单晶硅的研究表明，Ｐｅａｒｓｏｎ函数分布比半高斯函数分布更好地符合实验所测的载流子分布。给出了投影射程Ｒｐ、射程歧离σ、偏斜