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用静压光致发光研究GaAs/AlAs短周期超晶格的I—Ⅱ类超晶格转变点
用静压光致发光研究GaAs/AlAs短周期超晶格的I—Ⅱ类超晶格转变点
来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:chichuren
【摘 要】
:
<正> 近年来,GaAs/AlAs短周期超晶格的研究受到越来越多的重视。在GaAs/AlAs超晶
【作 者】
:
李国华
江德生
韩和相
汪兆平
K.Ploog
【机 构】
:
半导体超晶格国家重点实验室中国科学院半导体研究所,西德斯图加特马普固体研究所
【出 处】
:
固体电子学研究与进展
【发表日期】
:
1989年4期
【关键词】
:
光致发光
GAAS/ALAS
晶格
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<正> 近年来,GaAs/AlAs短周期超晶格的研究受到越来越多的重视。在GaAs/AlAs超晶
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